Технические характеристики
106ЛР2А
Микросхемы 106ЛР2А представляют собой логический элемент 4-4И-2ИЛИ-НЕ с возможностью расширения по ИЛИ.
Изготовлены по ТТЛ технологии и предназначены для применения в электронной аппаратуры специального назначения.
Конструктивно оформлены в плоском прямоугольном металлостеклянном корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной платы.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Содержат 12 интегральных элементов.
Тип корпуса: 401.14-3.
Масса не более 0,35 г.
Рабочая температура: -60…+125°С.
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «ВП» бК0.347.082ТУ1;
— приемка «ОС» И93.402.010СТУ.
Зарубежный аналог: SN54H55, Texas Instruments, Inc.
Предельно допустимые режимы эксплуатации:
— Напряжение питания ………. < 6 В;
- Напряжение на входе относительно «земли» .......... <5 В;
- Выходной втекающий ток < 18 мА;
- Выходной вытекающий ток .......... < 15 мА;
- Максимальная емкость нагрузки .......... < 200 пФ;
- Мощность рассеяния без теплоотвода .......... < 100 мВт;
- Тепловое сопротивление кристалл-среда .......... 0,25 °С/мВт;
- Предельная температура кристалла .......... 150°С.
Общие рекомендации по применению:
Максимальная температура пайки (260 ±5)°С, продолжительность пайки не более 3 с.
Число допускаемых перепаек выводов 2.
При работе микросхем неиспользуемые входы одного логического элемента рекомендуется объединять с одним из используемых входов или подключать к источнику постоянного напряжения через резистор сопротивлением не менее 1 кОм, при этом можно объединять любое количество входов к одному и тому же резистору. Следует учитывать, что при объединении неиспользуемых входов с одним из используемых нагрузочная способность по уровню лог.1 определяется числом подключаемых входов. Неиспользуемые входы можно также подключать и к выходам неиспользуемых вентилей; при этом входы последних следует подключать (заземлять) к низкому уровню. Монтаж микросхем производится только в обесточенном состоянии.
Допустимое значение статического потенциала 30 В.
