Технические характеристики
134РУ6Б
Цифровая микросхема серии ТТЛ.
Микросхемы 134РУ6Б представляют собой статическое оперативное запоминающее устройство с произвольной выборкой 1024х1 бит.
Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре и оборудовании специального назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлокерамическом корпусе с двусторонним расположением выводов.
Маркировка микросхем и схема соединения электродов с выводами указывается на корпусе.
Содержит 7322 интегральных элемента.
Корпус типа 4112.16-2, масса не более 1 г.
Напряжение питания: 5 ±10% В.
Ток потребления: не более 80 мА.
Рабочая температура: -60…+125°С.
Технические условия: бК0.347.083ТУ9.
Гарантийные обязательства:
Изготовитель гарантирует соответствие качества микросхем 134РУ6Б требованиям технических условий при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации установленных ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет.
Минимальный срок хранения исчисляется с даты изготовления, а для микросхем подвергавшихся перепроверки — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка микросхем:
— 50000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
— 60000 часов в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Общие рекомендации по применению 134РУ6Б:
Температура пайки (235 ±5)С, расстояние от корпуса до места пайки не менее 1 мм, продолжительность пайки не более 2 ±0,5 с.
Для микросхем, подлежащих автоматизированной сборке, температура пайки 265С, продолжительность пайки не более 4 с.
Минимальное расстояние от корпуса до места изгиба 1 ±0,5 мм. Число допустимых перепаек выводов при проведении монтажных операций не более 2.
Допустимое значение статического потенциала 100 В.
Для случайных помеховых сигналов, превышающих по амплитуде режимы, указанные в ТУ, и для случаев кратковременных нарушений стабилизации питающих напряжений допускается кратковременное (не более 5 мс) напряжение питания, равное 7 В. Подключение напряжения питания на выход микросхемы допускается только от источника питающего напряжения данной микросхемы через эквивалентное сопротивление, обеспечивающее выходные токи не более указанных в ТУ.
Неиспользуемые входы одной ячейки многоэмиттерного транзистора рекомендуется объединять с одним из используемых входов или подключать к источнику питания через резистор с сопротивлением 1 кОм ±10%, при этом к одному резистору можно подключить до 20 свободных входов.
Необходимо учитывать, что при объединении неиспользуемых входов с одним из используемых нагрузочная способность по высокому уровню определяется числом подключенных входов Неиспользуемые входы можно также подключать к выходам неиспользуемых вентилей, при этом выходы последних следует подключать к низкому уровню или заземлять.
С целью исключения сбоев в работе микросхем необходимо обеспечить длительность фронтов входного сигнала не более 200 нс.
