Технические характеристики
159НТ1В
Микросхемы 159НТ1В представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Произведены по биполярной технологии и предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Корпус типа 3101.8-9.01, масса не более 1,3 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» ХМ3.456.014ТУ.
Зарубежный аналог: 2N4042.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
— микросхема 159НТ1В, ХМ3.456.014ТУ.
Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ1В:
— Напряжение коллектор-база ………. 20 В
— Напряжение эмиттер-база ………. 4 В
— Напряжение между транзисторами ………. 20 В
— Ток коллектора постоянный ………. 10 мА
— Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) ………. 40 мА
— Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) ………. 50 мВт
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
— в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП — 25 лет;
— в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
— под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
