Технические характеристики
1906ВМ016
Микросхема 1906ВМ016 представляет собой радиационно-стойкий 32-разрядный микропроцессор на базе ядра SPARC V8, развитой периферией и тактовой частотой до 100 МГц.
Это высокопроизводительный микропроцессор с повышенной стойкостью к специальным внешним воздействующим факторам, четырьмя портами SpaceWire, двумя портами CAN 2.0B, двумя портами MIL-STD-1553, интегрированными контроллерами PCI 2.2, Ethernet и портом USB 2.0.
Микропроцессор 1906ВМ016 применяется при построении высокопроизводительной, отказоустойчивой радиоэлектронной аппаратуры для работы в космическом пространстве.
Выпускается в 602-выводном металлокерамическом корпусе с матричным расположением выводов (PGA) для монтажа на печатную плату.
Маркировка микросхемы и схема соединения электродов с выводами указывается на корпусе.
Тип корпуса: МК 6117.602-D (PGA-602).
Тема ОКР: «Обработка-12».
Минимальный срок сохраняемости — 25 лет со дня приёмки заказчиком.
Выпускается с категорией качества «ВП».
Технические условия:
— приёмка «5» — АЕНВ.431280.039ТУ.
Функциональным аналогом является микросхема UT699 фирмы Aeroflex.
Программно-аппаратные средства для программирования микропроцессора 1906ВМ016:
— Программная среда разработки приложений реализована на основе Eclipse и плагина LEON C/C++ IDE, предоставляет пользователю графический интерфейс с необходимыми компонентам для разработки и отладки;
— Адаптер JEM-LEON КФДЛ.301411.256 для отладки программного обеспечения микропроцессора 1906ВМ016.
Основные технические параметры и эксплуатационные характеристики микросхемы 1906ВМ016:
● Архитектура и система команд SPARC LEON4 V8;
● Тактовая частота, не более 100 МГц;
● Внешняя память PROM/SRAM/SDRAM;
● Интерфейсы CAN 2.0 В — 2, USB 2.0, PCI 2.2, MIL-STD-1553-2, JTAG, UART, Ethernet, SpaceWire — 4
● Напряжение питания ядра 1,8 ±10 % В;
● Напряжение питания буферов 3,3 ±10 % В;
● Динамический ток потребления ядра, не более 20 мА;
● Система команд и архитектура SPARC V8 с поддержкой расширения V8e;
● Семиступенчатый конвейер команд с предсказанием переходов;
● Системная частота при работе с внешним SRAM 100 МГц;
● Интерфейс отладки JTAG;
● Конфигурируемый кэш 1-го уровня;
● Контроллеры внешней памяти SRAM, PROM и SDRAM (ПЗУ, СОЗУ, СДОЗУ);
● 4 таймера/счётчика;
● Энергосберегающий режим;
● Диапазон рабочих температур -60…+85 °C.
