Технические характеристики
198НТ1Б ММ
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ1Б ММ представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе микросхемы.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» АЕЯР.431410.128ТУ;
— приемка «ОСМ» АЕЯР.431410.128ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: CA3046.
Минимальная наработка микросхем:
— в режимах и условиях допускаемых ТУ — 100000 ч;
— в облегченных режимах при напряжениях, токах и мощностях, не превышающих 60 % от предельных значений – 120000 ч.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
— в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП — 25 лет;
— в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
— под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру (в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
