Технические характеристики
1Т311Г
Транзисторы 1Т311Г германиевые планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия: ЖК3.365.158ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т311Г:
• Структура: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: более 450 МГц;
• Uкбо — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 12 В;
• Uэбо — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 30…80 при 3В; 5мА;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 при 5В пФ ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 20 Ом.
