Технические характеристики
1Т320А
Транзисторы 1Т320А германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — ЩП3.365.011ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 1Т320А:
• Структура: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 160 МГц;
• Uкбо — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА при 20 В;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40…100 при 1В; 10мА;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ при 5В;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 8,5 Ом;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс
