1Т321Е, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

1Т321Е
Транзисторы 1Т321Е германиевые конверсионные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-4.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ», «В».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия: ЩТ3.365.027ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 1Т321Е:
• Структура: p-n-p
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 160 мВт;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт;
• Fгр — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой:  не менее 60 МГц;
• Uкэо проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и разомкнутой цепи базы: 30 В;
• Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 500 мкА при 45 В;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80…200 при 3В, 0,5мА;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 550 пФ при 10В;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,5 Ом;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не нормируется;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 600 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты