Технические характеристики
2П303В
Транзисторы 2П303В кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты 2П303Д, 2П303Е, 2П303И и низкой 2П303А, 2П303Б, 2П303В частот с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы 2П303Г в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах ядерной спектрометрии.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приёмка «5» — Ц23.365.003ТУ.
Зарубежный аналог: 2N5668.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Минимальная наработка — 80000 часов в режимах и условиях, допускаемых ТУ.
Наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2П303В:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт;
• Uзи отс — Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 1… 4 В;
• Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
• Uзс max — Максимальное напряжение затвор-сток: 30 В;
• Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 30 В;
• Iс — Ток стока (постоянный): 20 мА;
• Iс нач — Начальный ток стока: 1,5…5 мА;
• S — Крутизна характеристики: 2… 5 мА/В;
• С11и — Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ;
• С12и — Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 2 пФ.
