Технические характеристики
2П308Г-1
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока, в переключающих устройствах и коммутаторах с высоким входным сопротивлением.
Транзисторы бескорпусные с гибкими выводами и с защитным покрытием без кристаллодержателя.
Каждый транзистор упаковывается в сопроводительную тару, позволяющую производить измерение электрических параметров без их извлечения.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приёмка «5» — Ц23.365.006ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
