2П312А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2П312А
Транзисторы 2П312А кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных усилительных и преобразовательных каскадах сверхвысокочастотного диапазона.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы 2П312А, 2П312Б выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Маркируются цветными точками:
   — 2П312А — одной желтой,
   — 2П312Б — одной синей.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-23.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  — приёмка «5» — ЖК3.365.262ТУ.
Зарубежный аналог: SFE264, BF410B, BF410C, BF511, 2SK242, 2SK521.

Гарантийный срок сохраняемости — 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 80000 часов — в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  — 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2П312А:
• Структура транзистора: с p-n-переходом и n-каналом;
• Рси max — Рассеиваемая мощность сток-исток: 100 мВт;
• Uзи отс — Напряжение отсечки транзистора — напряжение между затвором и истоком: 2… 8 В;
• Uси max — Максимальное напряжение сток-исток: 20 В;
• Uзс max — Максимальное напряжение затвор-сток: 25 В;
• Uзи max — Максимальное напряжение затвор-исток: 25 В;
• Iс — Ток стока (постоянный): 25 мА
• Iс нач — Начальный ток стока: не более 25 мА;
• S — Крутизна характеристики: 4… 5,8 мА/В (15В);
• С11и — Входная емкость транзистора — емкость между затвором и истоком: не более 4 пФ;
• С12и — Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1 пФ;
• Ку.р — Коэффициент усиления по мощности: не менее 2 дБ на частоте 400 МГц;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 4 дБ на частоте 400 МГц

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты