2Т3132А-2, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т3132А-2
Транзисторы 2Т3132А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1…7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
Маркируются цветной точкой:
   — 2Т3132А-2 — синей;
   — 2Т3132Б-2 — красной;
   — 2Т3132В-2 — жёлтой;
   — 2Т3132Г-2 — чёрной.
Транзистор 2Т3132А-5 выпускается в виде кристаллов без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в держателе не более 0,2 г, кристалла — не более 0,002 г.
Тип корпуса: КТ-21.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  — приемка «5» — аА0.339.300ТУ.
Зарубежный аналог: DC5405.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т3132А-2:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 70 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,5 ГГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8,5 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 15… 150;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 5,5 пФ;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 2,5 дБ на частоте 3,6 ГГц

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты