Технические характеристики
2Т354Б-2
Транзисторы 2Т354Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,003 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — СБ0.336.038ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC3016, LBFW30.
Гарантийный срок хранения 15 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
— 25000 ч — в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
— 50000 ч — в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т354Б-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 30 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1500 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 В (3кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 90…360;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 35 пс
