2Т364В-2, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т364В-2
Транзисторы 2Т364В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в индивидуальной сопроводительной таре.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,006 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  — приемка «5» — ЩТ3.365.060ТУ.

Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
  — 50000 ч — в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
  — 80000 ч — в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т364В-2:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80…240;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 30 Ом;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 500 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты