2Т368Б, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т368Б
Транзисторы 2Т368Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.
Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,6 г.
Тип корпуса: КТ-1-12.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС».
Технические условия:
  — приемка «ВП» СБ0.336.051ТУ;
  — приемка «ОСМ» СБ0.336.051ТУ, П0.070.052,
  — приемка «ОС» СБ0.336.051ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC251, 2SC252, 2SC253.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 80000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т368Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 225 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 900 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 50…300;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты