Технические характеристики
2Т370А-1
Транзисторы 2Т370А-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частоты, а также переключающих устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы бескорпусные без кристаллодержателя с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Тип прибора указывается на основании индивидуальной тары.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,005 г, в пластмассовом корпусе не более 0,1 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — ЩТ3.365.067ТУ.
Зарубежный аналог: N4080, 2N4260, 2SA800, MMBT4260, MMBT4261.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
— 50000 ч — в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
— 100000 ч — в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т370А-1:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 15 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1000 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20…70;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 50 пс
