2Т372А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т372А
Транзисторы 2Т372А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц.
Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на ярлыке, являющемся составной частью упаковки.
На корпусе между базовым и эмиттерным выводами наносится условная маркировка цветными точками:
   — 2Т372А — одна зеленая;
   — 2Т372Б — одна черная;
   — 2Т372В — одна белая;
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-23-2.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  — приемка «5» — ЖК3.365.246ТУ.
Зарубежный аналог:  MA42057-510, MRF931.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 80000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т372А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2400 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (10кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10,,,90;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1 пФ;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 3,5 дБ на частоте 1 ГГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 9 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты