Технические характеристики
2Т603В
Транзисторы 2Т603В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих высокочастотных устройствах.
Используются в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «5» И93.365.003ТУ;
— приемка «9» И93.365.003ТУ, аА0.339.190ТУ.
Минимальный срок сохраняемости — 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: 2N919.
Основные технические характеристики транзистора 2Т603В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 600 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мкА;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20… 80;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 7 Ом
