2Т610Б, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т610Б
Транзисторы 2Т610Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n сверхвысокочастотные, усилительные.
Предназначены для применения в усилителях напряжения и мощности.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  — приемка «ВП» Я53.365.009ТУ;
  — приемка «ОСМ» Я53.365.009ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2SC3596C.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т610Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 700 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 26 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (26В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20…250;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 4,1 пФ;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 2 дБ на частоте 200 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 55 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты