2Т633А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т633А
Транзисторы 2Т633А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, быстродействующие, импульсные.
Предназначены для применения в высокочастотных и импульсных устройствах в схеме с общей базой.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 3,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  — приемка «ВП» аА0.339.007ТУ;
  — приемка «ОСМ» аА0.339.007ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: MPS3866, BF371.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 80000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т633А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мкА (30В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40… 140;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 4,5 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом;
• Кш — Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 20 МГц

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты