Технические характеристики
2Т640А-2
Транзисторы 2Т640А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1…7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы 2Т640А-2, 2Т640А1-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы наносится условная маркировка:
— 2Т640А-2 — черная точка,
— 2Т640А1-2 — черный знак «Т».
Транзистор 2Т640А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Транзистор 2Т640А-6 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками на кристаллодержателе и без выводов, маркируется черной точкой.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора:
— бескорпусного не более 0,2 г,
— кристалла не более 0,0002 г,
— кристалла на кристаллодержателе не более 0,008 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.047ТУ.
Зарубежный аналог: NE24318, HXTR4105, 2N667.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т640А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,6 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2100 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (25В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 7 ГГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс
