Технические характеристики
2Т648А-2
Транзисторы 2Т648А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот 1…12 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На крышку транзистора наносится условная маркировка:
— 2Т648А-2 — две черные точки.
Транзисторы 2Т648А-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.266ТУ.
Зарубежный аналог: NE56755, AT12570-5.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 15 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 15000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 30000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т648А-2 :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 420 мВт;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 18 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (18В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 0,04 Вт на частоте 12 ГГц
