Технические характеристики
2Т653Б
Транзисторы 2Т653Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах и преобразователях.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Транзисторы 2Т653А, 2Т653Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Транзисторы 2Т653А-5, 2Т653Б-5 выпускается в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 2,0 г, кристалла не более 0,005 г.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.307ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.307ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: BCX22, BFY57.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 50000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т653Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 130 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 80…250;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом
