2Т657А-2, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т657А-2
Транзисторы 2Т657А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот до 2 ГГц в схеме с общим эмиттером в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Транзисторы бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Транзисторы маркируются условным цветным кодом:
   — 2Т657А-2 — красный знак,
   — 2Т657Б-2 — красный знак и точка красного цвета,
   — 2Т657В-2 — красный знак и точка желтого цвета.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  — приемка «5» — аА0.339.405ТУ.
Зарубежный аналог: AT00510, AT00535, AT00570, AT60535.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 50000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т657А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 375 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 ГГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 12 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (12В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не нормируется;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 0,05 Вт на частоте 2 ГГц

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты