Технические характеристики
2Т665А9
Транзисторы 2Т665А9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Используются для работы в составе герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами для монтажа в отверстия печатной платы.
Маркируются условными знаками:
— 2Т665А9 — 2А,
— 2Т665Б9 — 2Б,
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,07 г.
Тип корпуса: KT-47 (SOT-89).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.559ТУ.
Зарубежный аналог: PN2243.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 50000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т665А9:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 мГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (100В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40… 250;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом
