Технические характеристики
2Т809А
Транзисторы 2Т809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТЮ-3-20.
Масса транзистора не более 22,0 г, с накидным фланцем — не более 34,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС».
Технические условия:
— приемка «ВП» ГЕ3.365.017ТУ;
— приемка «ОСМ» ГЕ3.365.017ТУ, П0.070.052;
— приемка «ОС» ГЕ3.365.017ТУ, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC2501.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т809А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5,1 мГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 400 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 3 мА (400 В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15… 100;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,75 Ом
