Технические характеристики
2Т812Б
Транзисторы 2Т812Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключательных устройствах.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.193ТУ.
Зарубежный аналог: BU107.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т812Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 300 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 5 мА (700В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 4;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом
