Технические характеристики
2Т830В-1
Транзисторы 2Т830В-1 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Используются в электронной аппаратуре специального назначения.
Транзисторы бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Масса транзистора — не более 0,03 г.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.406ТУ.
Гарантийный срок хранения 25 лет со дня изготовления.
Гарантийная наработка:
— 25000 ч — в режимах и условиях, допускаемых ТУ;
— 50000 ч — в облегченном режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
