2Т831А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т831А
Транзисторы 2Т831А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, преобразователях в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  — приемка «ВП» аА0.339.140ТУ;
  — приемка «ОСМ» аА0.339.140ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N1072.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т831А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 35 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты