2Т848А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т848А
Транзисторы 2Т848А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n мощные, переключательные.
Предназначены для применения в электронных схемах зажигания автомобильной радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  — приемка «5» — аА0.339.512ТУ.
Зарубежный аналог: 2SD641, SK3995.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т848А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 35 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 0,25 мА (400В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,2 Ом

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты