Технические характеристики
2Т867А
Транзистор 2Т867А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n высоковольтный, переключательный.
Предназначен для применения в переключающих устройствах, во вторичных источниках электропитания.
Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 17,0 г.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Категория качества: «ВП», «ОСМ», «ОС».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.439ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.439ТУ, П0.070.052;
— приемка «ОС» аА0.339.439ТУ, аА0.339.190ТУ.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т867А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 25 МГц;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (250В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,075 Ом
