Технические характеристики
2Т874А
Транзисторы 2Т874А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в схемах источников вторичного электропитания, ключевых схемах.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-57.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.571ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.571ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 1582-1008, 1582-1210, 1582-1015, BUX69.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 50000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т874А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 20 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 150 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 50 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (150В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15… 50;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,04 Ом
