Технические характеристики
2Т875В
Транзисторы 2Т875В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для работы в линейных и ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 20,0 г.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Климатическое исполнение: «УХЛ» и «В».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.643ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.643ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: BDW21.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 80000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 120000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
