Технические характеристики
2Т879А
Транзисторы 2Т879А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в мощных переключающих устройствах в составе радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 28,0 г.
Тип корпуса: КТ-5 (TO-63).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.609ТУ;
— приемка «ОС» аА0.339.609ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.
Зарубежный аналог: SDT55407, SDT96404, PT7511, SML96404, SML96304, 2N6281.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т879А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 250 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 200 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 75 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (200В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 800 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом;
• tрас — Время рассасывания: не более 1,2 мкс
