Технические характеристики
2Т888А
Транзисторы 2Т888А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напряжения вторичных источников электропитания.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.782ТУ.
Гарантийный срок сохраняемости — не менее 25 лет с момента изготовления.
Зарубежный аналог: STIP8006.
Основные технические характеристики транзистора 2Т888А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 15 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 900 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (900В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30… 120;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 50 Ом;
• tрас — Время рассасывания: не более 3 мкс
