2Т909А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т909А
Транзисторы 2Т909А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100…500 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе  стационарной и бортовой аппаратуры радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,0 г.
Тип корпуса: КТ-15.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  — приемка «ВП» И93.365.018ТУ;
  — приемка «ОСМ» И93.365.018ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N5177, 2SC2033.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т909А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 27 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 360 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 25 мА (60В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 17 Вт на частоте 500 МГц;
• tрас — Время рассасывания: не более 20 нс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты