Технические характеристики
2Т9109А
Транзистор 2Т9109А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный.
Предназначен для применения в импульсных усилителях мощности в схеме с общей базой в полосе частот 720…820 МГц при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Транзистор содержит внутреннее LС-звено.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 10,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Тип корпуса: КТ-42.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.546ТУ.
Зарубежный аналог: AM0608-450, CD400.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 50000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т9109А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 1120 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 360 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 29 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 60 мА (65В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 140 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 3,5 дБ на частоте 820 МГц;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 500 Вт на частоте 820 МГц;
• tрас — Время рассасывания: не более 10 нс
