2Т911А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т911А
Транзисторы СВЧ 2Т911А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 400 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-18.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  — приемка «ВП» И93.365.020ТУ;
  — приемка «ОСМ» И93.365.020ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: HXTR-4103, MSC85470, MSC85920.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 50000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т911А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1000 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 55 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,4 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (55В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 2 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 0,8 Вт на частоте 1,8 ГГц;
• tрас — Время рассасывания: не более 25 нс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты