Технические характеристики
2Т919Б
Транзисторы СВЧ 2Т919Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7…2,4 ГГц в схеме с общей базой.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным и цветовым кодом на корпусе транзистора.
Условное обозначение транзисторов:
— 2Т919А — буква «А» и зеленая точка,
— 2Т919Б — буква «Б» и черная точка,
— 2Т919В — буква «В» и белая точка.
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «ВП» ЖК3.365.249ТУ;
— приемка «ОС» ЖК3.365.249ТУ, АЕЯР.430204.190ТУ.
Зарубежный аналог: LKE21015T.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т919Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1350 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,35 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 0,7 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мА (45В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 6,5 пФ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 1,6 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2,2 пс
