2Т921А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т921А
Транзисторы 2Т921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  — приемка «ВП» ЖК3.365.254ТУ;
  — приемка «ОСМ» ЖК3.365.254ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2SC1678, MDS1678.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т921А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3,5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 10 мА (70В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 8 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 12,5 Вт на частоте 60 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 22 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты