Технические характеристики
2Т925В
Транзисторы СВЧ 2Т925В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 200…400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Используются для работы в бортовой аппаратуре радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОС».
Технические условия:
— приемка «ВП» И93.365.031ТУ;
— приемка «ОС» И93.365.031ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N5590, TH553.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т925В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 500 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3,3 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 8,5 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мА (36В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 17;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 320 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 40 пс
