Технические характеристики
2Т928Б
Транзисторы 2Т928Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 3,0 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» Я53.365.034ТУ;
— приемка «ОСМ» Я53.365.034ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: TN2218A.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 80000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 100000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т928Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 2 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,2 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (60В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 50… 200;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,3 Ом;
• tрас — Время рассасывания: не более 250 нс
