Технические характеристики
2Т929А
Транзисторы 2Т929А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах более 50 МГц при напряжении питания 8 В.
Используются для работы в бортовой аппаратуре подвижных средств радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Тип корпуса: КТ-17.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.021ТУ.
Зарубежный аналог: 2SC1165.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т929А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 6 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкэr проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,8 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 5 мА (30В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 2 Вт на частоте 175 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 25 пс
