Технические характеристики
2Т930А
Транзисторы 2Т930А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100…400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Тип корпуса: КТ-32.
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
— приемка «ВП» аА0.339.036ТУ;
— приемка «ОСМ» аА0.339.036ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: 2N6362, CD6105.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т930А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 75 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 450 МГц;
• Uкэr проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 6 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (50В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 6 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 8 пс
