2Т933Б, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т933Б
Транзисторы 2Т933Б  кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.
Используются для работы в электронной аппаратуры специального назначения.
Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  — приемка «5» — аА0.339.087ТУ.
Зарубежный аналог: DTL3502.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т933Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 75 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 0,5 мА (80В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 30;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,75 Ом

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты