Технические характеристики
2Т937А-2
Транзисторы 2Т937А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 0,9…5 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Маркируются цифро-буквенным или цветовым кодом на корпусе транзистора.
На транзисторы наносится условная маркировка:
— 2Т937А-2 — зеленая точка и буква «А»,
— 2Т937Б-2 — белая точка и буква «Б»,
— КТ937А-2 — две зеленые точки и буква «А»,
— КТ937Б-2 — две белые точки и буква «Б».
Масса транзистора не более 2,0 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.079ТУ.
Зарубежный аналог: 2L08, MA42181-510, LUE20095, LEE1010T.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т937А-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3,6 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 6500 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,25 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (25В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 5,5 пФ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 1,6 Вт на частоте 5 ГГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,78 пс
