Технические характеристики
2Т956А
Транзисторы 2Т956А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5…30 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе аппаратуры радиосвязи специального назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 15,0 г.
Тип корпуса: КТ-19-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.123ТУ.
Зарубежный аналог: BLV75/12.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т956А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 70 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 100 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 80 мА (100В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10…80;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 400 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 20 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 30 МГц
