2Т960А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т960А
Транзисторы 2Т960А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100…400 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Тип корпуса: КТ-32.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  — приемка «5» — аА0.339.157ТУ.
Зарубежный аналог: CD6105A, A5919, MRF323, MRF1008MC, MRF1008MA, MRF1008MB, 2SC1334.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора 2Т960А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max — Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 70 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 600 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 7 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 20 мА (36В);
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 2,5 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 400 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 12,5 пс

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты