Технические характеристики
2Т966А
Транзисторы 2Т966А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5…30 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Корпус металлокерамический с полосковыми выводами.
Используются для работы в электронной аппаратуре специального назначения.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Тип корпуса: КТ-30.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
— приемка «5» — аА0.339.218ТУ.
Зарубежный аналог: SD1275-1.
Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
— 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
— 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.
Основные технические характеристики транзистора 2Т966А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 64 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 100 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 36 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 23 мА (36В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10… 70;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 250 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 16 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 40 Вт на частоте 30 МГц
