2Т980А, характеристики, применение, даташит, аналоги

Технические характеристики

2Т980А
Транзисторы 2Т980А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n линейные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности: 2Т980А в диапазоне частот 1,5…30 МГц, 2Т980Б в диапазоне частот 30…80 МГц при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе  с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 11,0 г.
Тип корпуса: КТ-19-2.
Вид климатического исполнения: «УХЛ».
Категория качества: «ВП», «ОСМ».
Технические условия:
  — приемка «ВП» аА0.339.347ТУ;
  — приемка «ОСМ» аА0.339.347ТУ, П0.070.052.
Зарубежный аналог: TH430.

Гарантийный срок хранения транзисторов — 25 лет с даты приёмки, а в случае перепроверки изделия — с даты перепроверки.
Гарантийная наработка:
  — 25000 часов — во всех режимах, допускаемых ТУ;
  — 40000 часов — в облегчённом режиме.
Гарантийная наработка исчисляется в пределах гарантийного срока хранения.

Основные технические характеристики транзистора  2Т980А :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 300 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 150 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мА (100В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 450 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 25 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 250 Вт на частоте 30 МГц

Содержание драгметаллов

Электронные компоненты